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IXFH400N075T2
IXFT400N075T2
220
200
180
Fig. 7. Input Admittance
240
200
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
160
140
120
T J = 150oC
25oC
- 40oC
160
120
25oC
150oC
100
80
60
40
20
0
80
40
0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
300
250
200
9
8
7
6
5
V DS = 37.5V
I D = 200A
I G = 10mA
150
T J = 150oC
4
100
50
0
T J = 25oC
3
2
1
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
10,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
f = 1 MHz
R DS(on) Limit
10,000
1,000
Ciss
Coss
1,000
100
10
T J = 175oC
External Lead Limit
25μs
100μs
1ms
100
Crss
1
T C = 25oC
Single Pulse
DC
10ms
100ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.1
1
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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